美光宣告，将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。现在美光已预备在在2022年年底开端出产新款232层3D TLC NAND闪存芯片，并方案将其用在包含固态硬盘在内的各种产品上。
据TomsHardware报导，美光的232层3D NAND闪存芯片采用了CuA架构，运用NAND的字符串堆叠技能，初始容量为1Tb（128GB）。CuA架构叠加新技能能够大幅度减小1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸，这有助于削减相关本钱，使得美光能够更积极地为搭载这些芯片的产品定价，或许提高产品的赢利。
美光的科技和产品履行副总裁Scott DeBoer表明，正在和第三方主控芯片的研制人员密切合作，不光供给对232层3D NAND闪存芯片的支撑，并且能保证对主控芯片与闪存芯片之间的优化，这一直是美光笔直产品整合的重要组成部分，以便建立环绕数据中心和客户端固态硬盘产品。
美光暂时还没有发布232层3D NAND闪存芯片的详细参数，不过好像会比现有的3D NAND闪存功能要更好一些，以习惯下一代支撑PCIe 5.0固态硬盘的需求。美光还表明，新款芯片的能耗也更低一些，这可能与其重视移动范畴的使用有关。
因为量产时刻是在2022年年底，估计搭载232层3D NAND闪存芯片的产品将会在2023年呈现。