先上一张当时几大干流的芯片厂商的工艺流程图，如图所示，台积电2020年完成了5nm，三星在2020年晚一些时分，应该也能完成5nm。
所以，这张图的意思是对我们说，当时只要两大厂商，进入到了10nm以下，那便是台积电、三星，而intel本年才进入到10nm。而中国大陆当时最好的成果是14nm，也没有进入到10nm。
这中心也要留意的是，格芯、联电在2017年之后，就根本中止对工艺制程的研发了，坚持住在10nm以上的水平了。
能够说10nm工艺是一个分水岭，谁能到达10nm或以下工艺，代表的便是最先进的工艺了，未来或许也就4家厂商有这个水平，台积电、三星、intel、中芯。
不过近来，中国芯传出一则好消息，那便是芯动科技表明，全球首款根据中芯 FinFET N+1先进工艺芯片流片成功。
这能够说是中国芯的一个严重打破了，由于这代表着中国大陆自己也能制作7nm等级的芯片，将技能打破到了10nm以下了。
为何这么说，N+1工艺是在中芯当时14nm的根底之上，功能提高20%，功耗下降57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
这个技能目标，与台积电的7nm工艺是相差不大的，最多功能提高稍差了一点，但也能够视为7nm等级的芯片了，究竟逻辑密度是最重要的一个目标。
要考虑到现在大陆在芯片的三大环节规划、制作、封测中，制作是最弱的，由于规划、封测都能到达5nm等级，而制作还只在14nm等级，所以将制作补上来是重中之重，所以从14nm直接跨入7nm等级，那有必要是一个十分十分严重的打破了。
不过现在还仅仅流片成功，代表着有这个技能了，终究还要完成量产，才是真实的成功，但想来也不远了，估量就在下一年了。
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