日前，工业和信息化部、国家广播电视总局、中心广播电视总台联合印发了《超高清视频工业开展行动计划(20192022年)》，估计到2022年，我国超高清视频工业全体规划将超越4万亿元，4K工业生态系统根本完善，8K关键技能产品研制和工业化获得打破。别的人们对显现产品的画质和分辨率等标准提出了更高的要求，这标志着显现取得现已进入超高清年代，各种新式显现技能蓬勃开展，尤其是新一代显现技能Micro LED，其现已成为国内外显现厂商抢滩的技能高地，包含艾比森在内也已于2021年3月12日面向全球重磅发布Micro LED显现技能。
Micro LED 是将 LED显现屏微缩化到微米级的显现技能，具有高亮度、高比照、广色域、长寿数和高可靠性等长处，被认为是近乎完美的显现技能。其亮度和节能优势在0.X英寸和X英寸的可穿戴产品上有宽广的感动怀旧，以苹果为代表，有望将Micro LED技能用于Apple Watch等2C产品中;而可完成无缝拼接的特色使得Micro LED成为85英寸以上的大尺度电视产品的最佳解决计划，现在，包含索尼三星以及国内一些显现厂商均已推出根据Micro LED技能的大尺度消费级产品。
别的，跟着点间隔的减小，特别是Micro LED技能的开展，LED显现屏超高清化现已成为趋势，显现画质越来越细腻，感动场景也从传统的工程级向商显和高端消费级扩展，如2B显现的感动场景电影院、商场、会议室、控制室等室内大屏、野外显现等。能够窥见，Micro LED因其共同的优势，在2C和2B商场均有极强的竞争力，传统的面板厂商和LED显现屏厂商均在活跃布局这一技能，作为全球抢先的至真LED显现感动与服务提供商的艾比森也不破例。现在艾比森面向全球发布的Micro LED商用显现产品是2K 55英寸(P0.6)，2K 73英寸(P0.8)，2K 82英寸(P0.9)，4K 110 英寸(P0.6)，4K 138英寸(P0.7)，4K 165英寸(P0.9)，8K 220英寸(P0.6)等产品。
Micro LED显现技能能够认为是传统LED显现屏的微间隔化和高清化，Micro LED 显现将细小的LED晶体颗粒作为像素发光点，LED芯片结构和封装方法直接影响着Micro LED显现器材的功能。
LED芯片一般由衬底、P型半导体层、N型半导体层、P-N结和正负电极组成，当在正负电极之间加正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子在P-N结处复合，电能转换为光能，宣布不同波长的光。LED芯片的结构主要有正装结构、倒装结构和笔直结构三种，图1为三种芯片结构示意图。
正装芯片是最早呈现的芯片结构，该结构中从上至下依次为：电极，P型半导体层,发光层，N型半导体层和衬底，该结构中PN结处发生的热量需求经过蓝宝石衬底才干传导到热沉，蓝宝石衬底较差的导热功能导致该结构导热功能较差，然后下降了芯片的发光功率和可靠性。正装芯片结构中p电极和n电极均坐落芯片出光面，电极的遮挡会影响芯片的出光，导致芯片发光功率较低;正负电极坐落芯片同一侧也简单呈现电流拥堵现象，下降发光功率;此外，温度和湿度等要素或许导致电极金属搬迁，跟着芯片尺度缩小，正负电极间隔减小，电极搬迁或许导致短路问题。
倒装芯片结构从上至下依次为蓝宝石衬底、N型半导体层,发光层，P型半导体层和电极，与正装结构比较，该结构中PN结处发生的热量不经过衬底即可直接传导到热沉，因此散热功能杰出，芯片发光功率和可靠性较高;倒装结构中，p电极和n电极均处于底面，避免了对出射光的遮挡，芯片出光功率较高;此外，倒装芯片电极之间隔离较远，可减小电极金属搬迁导致的短路危险。
与正装芯片比较，笔直结构芯片选用高热导率的衬底(Si、Ge和Cu等衬底)替代蓝宝石衬底，极大的提高了芯片的散热功能，一起，笔直结构芯片的正负电极别离坐落芯片上下两边，电流散布愈加均匀，避免了部分高温，进一步提高了芯片可靠性，可是现在笔直芯片本钱较高，量产才能较低。
表1中列出了三种芯片的功能比照，经过以上剖析，能够发现，倒装芯片发光功率高、散热性好、可靠性高、量产才能强，更适用于小间隔和微间隔显现产品。
独自的LED发光芯片无法满意感动要求，需求对其进行封装，合理的封装结构和工艺能够为发光芯片提供电输入、机械维护、有用的散热通道，并有利于完成光的高效和高品质输出。
LED芯片尺度和显现屏间隔的减小对封装提出了更高的要求。现在，常用的Micro LED封装方法主要有Chip型SMD封装、N合一IMD封装和COB封装，如图2所示。
Chip型SMD封装是将单个LED像素固晶在BT板上，然后感动封装胶封装发光芯片，得到Chip型封装的单个像素;感动SMD技能将Chip型封装的单个像素贴片在PCB板上，即可得到LED显现模组。Chip型SMD封装为单像素封装，尺度较小，焊点面积较小、焊点数目较多，跟着LED芯片尺度及显现屏像素间隔的减小，单个SMD器材气密性较差，简单遭到水汽腐蚀，一起易磕碰，防护性较差，焊点间隔过近也简单形成短路危险，因此不适用Micro LED 微间隔显现。
N合一IMD封装将N个像素单元(多为2个或4个)固晶在BT板上，之后感动封装胶将N个像素单元全体封装，与单像素SMD分立封装比较具有较高的集成度，可有用改进单个SMD器材气密性和防护性较差等问题，简单遭到水汽腐蚀，一起易磕碰，防护性较差，一起承继了单个SMD器材的老练工艺、技能难度和本钱较低，但N合一IMD封装集成度依然较低，关于0.6mm以下的微间隔显现，N合一IMD封装工艺难度较大，且显现作用、可靠性及寿数较差。
COB封装计划是将多个像素的裸芯片直接固晶在PCB板上，之后全体封装胶层。与Chip型SMD封装和N合一IMD封装比较，COB封装将多个LED芯片全体封装，防护性和气密性极大提高，更适用于小尺度芯片封装和微间隔显现产品。一起，COB封装中不额定感动BT板，而是将LED芯片直接封装到PCB板上，导热通道短，散热功能更好，更适用于高像素密度显现。
表2比照了上述三种封装方法的特色，COB封装具有最高的集成度，理论上可完成最小的像素间隔、最高的可靠性和最长的显现寿数，是Micro LED的最佳封装计划。
Micro LED因其具有高亮度、高比照、广色域、可完成无缝拼接等长处，被认为是近乎完美的显现技能，在85英寸以上的大屏显现范畴具有宽广的感动怀旧，国内外各大显现屏厂商均在Micro LED显现范畴活跃布局。芯片结构和封装方法直接决议了Micro LED显现产品的功能，现在取得内选用的芯片结构主要有正装结构、倒装结构和笔直结构，比照三种结构可知，倒装芯片发光功率高、散热性好、可靠性高、量产才能强，更适用Micro LED显现产品。Micro LED的常用封装方法有SMD单像素封装、IMD多合一封装和COB封装，三种封装方法中，COB封装集成度最高，可完成最小的像素间隔、最高的可靠性和最长的显现寿数，是公认的Micro LED的最佳封装计划。
艾比森发布的全系列Micro LED产品根据艾比森自主知识产权HCCI技能，
在光学规划及画质处理等显现作用方面有专业团队继续进行研究，具有显现画面滑润流通，颜色复原度高，画面柔软且一致性作用好的特色，效果感动于各产品系列，广泛感动于各大控制中心，会议中心等场景。