长电科技副总经理梁新夫在本次封测年会上表示：“5G毫米波频段更高，需要将天线、射频前端和收发器整合成单一系统级封装。在天线部分，AiP技术与其他零件共同整合到单一封装内是关键。”同时，梁新夫还指出，电磁屏蔽也是5G封装发展的一个重要方向。
华天科技先进封装研究院院长于大全则指出，在高密度封装领域，本土厂商与国际厂商还存在一定差距，这也是本土Fan Out封装技术接下来需要面临的挑战。
除了5G带给扇出型封装的巨大市场，车载领域也是众多封测厂商看好Fanout的一个原因。在本次会议上，日月光集团处长林少羽以“驱动智能汽车封装解决方案”为主题，为与会者分享了目前汽车市场的趋势，以及日月光应对车载封装的全套解决方案。
所谓TSV封装，也就是硅穿孔封装技术，这是一项高密度封装技术。通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，这项技术能实现硅通孔的垂直电气互连，减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。据Yole预测，2019年先进封装份额将增至38%，SiP、WLP、TSV等技术引领先进封装风潮，其中，增长最快的是扇出型封装和2.5D3D TSV。
透过本次年会各大封测企业的演讲我们得知，基于硅通孔的2.5D和3D封装在诸如网络、云服务芯片和人工智能及虚拟、增强现实的设计方面开始展露头角。同时，随着各种消费性电子科技类产品向外观更轻薄短小的演进，也带给了2.5D3D TSV封装技术更多的市场机会。于大全在会上强调，TSV已经到了爆发的时代。
他认为，TSV深孔的填充技术是3D集成的关键技术，TSV填充效果必然的联系到集成技术的可靠性和良率等问题，而高的可靠性和良率对于3D TSV 堆叠集成实用化是至关重要的，具有TSV的快闪存储器晶圆叠层可能会得到加快速度进行发展，在本次年会中，华创与长电都对此进行了分析。
长电认为，BiCS技术3D NAND将促进封装结构的延展，而华创就3D NAND外围电路在深亚微米刻蚀设备上推出了自家方案，其硅刻蚀机已突破14nm技术。
除3D NAND之外，存储芯片另一大块的增长在于DRAM方面。但是，伴随着摩尔定律的演进，存储芯片要在这场游戏中不被淘汰出局，厂商必须使生产所带来的成本降低的速度赶上价格下滑的速度。DRAM芯片厂商应当能够每年将生产所带来的成本降低30%，才能维持适当的利润率。要降低DRAM芯片成本，检测技术也是降低芯片成本中必不可少的一部分，而提及此，就不得忽视晶圆探针卡的重要性。
晶圆探针卡是一种半导体在制造晶圆阶段不可或缺的重要测试分析接口，通过连接测试机和芯片，通过传输信号，对芯片参数进行测试。
在本届大会中，全球半导体探针卡供应商排名第一名的Form Factor为我们分享了存储器晶圆测试的一站式解决方案，由量产测试对于高并行度高产出的强烈需求，公司产品可对12吋晶圆进行一次接触就可以完成检测，快速缩短了芯片的检测成本。不仅如此，Form Factor还对其测试机进行了有效的延伸和再利用ATRE利用现有设备实现更高并行度规模量产。
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