是运用微细加工技能，将机械零零件、电子电路、传感器、执行机构集成在一块电路板上的高的附加价值元件。
SOI是Silicon On Insulator的缩写，是指在氧化膜上构成了单晶硅层的硅晶圆。已大范围的应用于功率元件和MEMS等，在MEMS中能够正常的运用氧化膜层作为硅蚀刻的阻挡层，因而能够构成杂乱的三维立体结构。
TAIKO磨削是DISCO公司开发的技能，在磨削晶圆时保存最外围的边际，只对其内侧进行磨削。
TAIKO磨削与一般的磨削比较，具有“晶圆曲翘削减”、“晶圆强度更高”、“处理简单”、“与其他工艺的整合性更高”等长处。
直接键合不运用粘合剂等，是运用热处理发生的分子间力使晶圆彼此粘合的键合，用于制造SOI晶圆等。
经过在低真空中放电使等离子体发生离子等粒子，运用该粒子进行蚀刻的技能称为反响离子蚀刻。
等离子体中混合存在着带着电荷的离子和中性的自由基，具有运用自由基的各向同性蚀刻、运用离子的各向异性蚀刻两种蚀刻效果。
集各向异性蚀刻和各向同性蚀刻的长处于一身的博世工艺技能已成为了硅深度蚀刻的干流技能。
经过重复进行Si蚀刻⇒聚合物堆积⇒底面聚合物去除，能够直接进行纵向的深度蚀刻。
ALD是Atomic Layer Deposition（原子层堆积）的缩写，是经过重复进行资料供给（前体）和排气，运用与基板之间的表面反响，分步逐层堆积原子的成膜方法。
经过选用这样的方式，只需有成膜资料能够经过的缝隙，就能以纳米等级的膜厚操控，在小孔侧壁和深孔底部等部位成膜，在深度蚀刻时的聚合物堆积等MEMS加工中构成均匀的成膜。